סמסונג – החברה הראשונה שעוברת לייצור מעבדים ב-3 ננו-מטר

חטיבת השבבים של סמסונג הכריזה אתמול (ב') על פריצת דרך משמעותית, והפכה את החברה לראשונה שמציעה סיליקון שמיוצר בליתוגרפיה של 3 ננו-מטר. המתחרה הגדולה של סמסונג בתחום ייצור המעבדים לחברות ללא מפעל מתאים, TSMC, אמורה להתחיל לייצר מעבדים ב-3 ננו-מטר רק בעוד כחצי שנה, לקראת סוף 2022.

הליתוגרפיה החדשה מביאה עוד שיפור בטכנולוגיית ה-GAA שבה סמסונג מייצרת את המעבדים – טכנולוגיה שלפי החברה עדיפה מבחינת ביצועים על FinFET.

בסמסונג טוענים שהמעבדים שייוצרו בליתוגרפיה החדשה יציעו ביצועים משופרים ב-23% לעומת אלה שמיוצרים בדור הקודם של תהליך הייצור, וזאת יחד עם הפחתה משמעותית של 45% בצריכת החשמל. כן טוענת החברה שמעבדי ה-3 ננו-מטר ידרשו פחות שטח מקודמיהם, ומדובר בשיעור של 16%.

ההכרזה של סמסונג מגיעה על רקע הודעת אינטל כי חתמה עם מדיה-טק, שמנהלת קרב צמוד מאוד עם קוואלקום בשוק המעבדים לטלפונים. לפי ההסכם, המעבדים של אינטל ייוצרו במפעלים של מדיה-טק. סמסונג נלחמת גם היא על חוזים בתחום הזה, והיא מקווה להשיג את אלה שלא רוצים לחכות ל-TSMC, כשידוע כבר שהיא נמצאת במשאים ומתנים עם מדיה-טק, AMD, קוואלקום ואנבידיה.

יש לציין שסמסונג לא מסתכלת רק על שוק הטלפונים כפוטנציאל לקווי הייצור המעודכנים שלה – היא בהחלט מכוונת גם לעבר ייצור מעבדים שמתאימים לשרתים ולדטה סנטרים.