יבמ ומיקרון יבנו שבבי זיכרון רב-שכבתיים

יבמ (IBM) תספק ליצרנית שבבי המחשב מיקרון (Micron) טכנולוגיות ותהליכי ייצור חדשים המאפשרים בניית שבבים רב-שכבתיים. מיקרון תייצר סוג חדש של שבבי זיכרון העושים שימוש מסחרי ראשון בטכנולוגיה לקידוח דרך שכבות סיליקון – TSV – שתאפשר לשבבי "קוביית זיכרון היברידית" להציג מהירות עבודה גבוהה פי 15 בהשוואה לשבבי זיכרון מקובלים.

המפתח להאצה הזאת נמצא במבנה התלת מימדי של השבב: בעוד שבבי מחשב רגילים פרוסים לרוחב במפלס אחד בלבד, מאפשרת טכנולוגיית הייצור החדשה של יבמ לבנות שבבים "רב-שכבתיים", במתכונת המקצרת את הדרך אותה נדרש אות חשמלי לעבור על מנת להגיע ליעדו.

כשם שמתכנני ערים מתאמצים לדחוס יותר תושבים ופונקציות אל תוך גוש בניינים אחד באמצעות בנייה לגובה, נאבקים מתכנני שבבים על מנת למצוא דרכים שיאפשרו להם לבנות את השבב לגובה, במקום לדחוס עוד ועוד רכיבים לרוחב שטח השבב. הרעיון הבסיסי שפותח ביבמ, מדבר על הצבת שכבות שבב זו מעל זו.

הגישה החדשה לבניית שבבים דורשת פחות אנרגיה ופחות מקום: קיצור המרחק אותו צריך האות החשמלי לעבור מאפשר צמצום צריכת הזרם, ומוביל גם להקטנת פליטת החום.

במסגרת שיתוף הפעולה בין יבמ וחברת מיקרון, תסיר מיקרון חלק מהמעגלים המרכיבים כיום את שבבי הזיכרון שלה ומטפלים בתקשורת בין השבבים האלה ובין שבבים אחרים – ותעביר את המשימות האלה לשבב ייעודי מיוחד של יבמ, שיהווה למעשה את שכבת הבסיס, במפלס שמתחת לארבע עד שמונה שכבות של שבבי זיכרון.

במקום לנהל תקשורת אל מחוץ לכל שבב ובין השבבים הנפרדים, ינהלו שכבות השבב המאוחד תקשורת ביניהן כמו גם אל שאר רכיבי המערכת באמצעות שכבת שבב התקשורת של יבמ. אבות-טיפוס של שבבים כאלה מצליחים כבר להזרים 128 ג'יגה-בייט לשניה – פי עשרה משבבי הזיכרון הזמינים כיום בשוק.

יתרון מרכזי בטכנולוגיית הייצור הייחודית, שפותחה על ידי יבמ, הוא האפשרות להמשיך ולהשתמש בציוד הייצור הקיים כיום בתעשייה, ובתהליכי הייצור המקובלים בעולם השבבים.

מוצרים ראשונים הנבנים במסגרת שיתוף הפעולה החדש בין יבמ ומיקרון צפויים להיות זמינים לאספקה במחצית השנייה של 2012.