טושיבה תציע זכרונות NAND שיאפשרו שטח אחסון גדול משמעותית
השבבים החדשים מיוצרים בליטוגרפיה של 32 ננו-מטר ומציעים שטח אחסון של ארבעה ג'יגה-בייט לפיסת שבב בגודל 300 מ"מ ● הם מבוססים על טכנולוגיית שלוש סיביות בכל תא, ויאפשרו את הגדלת הזיכרון מבלי לשנות את גודל השבבים
טושיבה תתחיל להפיץ זיכרונות פלאש מסוג NAND שמיוצרים בליטוגרפיה של 32 ננו-מטר כבר בסתיו הקרוב – כך מסרה החברה בכנס International Nanotechnology Exhibition & Conference, שנערך בשבוע שעבר. טושיבה הציגה בכנס פיסת סיליקון בגודל של 300 מ"מ שעליה משובצים זיכרונות ה-NAND החדשים, שכל אחד מהם בנפח של 4 ג'יגה-בייט.
מדובר בשבבים המבוססים על טכנולוגיית שלוש סיביות בכל תא זיכרון. זו מאפשרת לחברה לדחוס נפח אחסון גדול יותר בכל תא, מבלי לשנות למעשה את גודל השבב. מדובר בשינוי המשמעותי היחיד בשבבי זיכרון הפלאש של טושיבה לעומת אלה שמיוצרים עדיין בליטוגרפיה של 43 ננו-מטר.
במקביל, הכריזה החברה על התוכניות העתידיות שלה. לקראת סוף 2010, או, לכל המאוחר, בתחילת 2011, אמורה טושיבה להשיק זיכרונות NAND שייוצרו בליטוגרפיה של למעלה מעשרים ננו-מטר. עדיין לא ברור עד איזה גודל תא תוכל החברה לרדת, והאם יהיה צורך להשתמש בטכנולוגיה מעט שונה בכדי לווסת את זרימת החשמל לתאים השונים.
תגובות
(0)