האם שבב ה-5 ננו-מטר של יבמ יוכל להכפיל את חיי הסוללה?

יבמ (IBM), בשיתוף פעולה עם סמסונג (Samsung) ו-Global Foundries, שאחראית בין השאר לייצור של מעבדי ה-x86 של AMD וחלק מהייצור של מעבדי ה-Snapdragon של קוואלקום (Qualcomm), פיתחה תהליך ייצור חדש שמאפשר תכנון שבבי עיבוד בליתוגרפיה של 5 ננו-מטר.

זה קורה שנתיים לאחר שהחברה חשפה תהליך לייצור ב-7 ננו-מטר, ועל רקע הכוונה של סמסונג להתחיל להשתמש בתהליך של 7 ננו-מטר לייצור מעבדיה הטלפוניים החל בשנה הבאה.

תהליך הייצור מבוסס על טרנזיסטור שמכונה GAAFET, או 'טרנזיסטור עם שערים מסביבו'. החומר עליו מבוסס השער של הטרנזיסטור עוטף שלושה 'דפים' זעירים אופקיים שמיוצרים מסיליקון.

זה שונה מתהליך ה-FinFET בו השתמשו החברות עד עכשיו ליצור מעבדים מתקדמים בו הסיליקון מוצב אנכית לשער. ביבמ אמנם טוענים שהם היו יכולים להשתמש ב-FinFET עבור ליתוגרפיה של 5 ננו-מטר, אבל המחיר הוא תקרת הביצועים.

לטענת החברה, שבבים המבוססים על התהליך החדש יכולים להציע שיפור ביצועים של עד 40% לעומת מעבדי ה-10 ננו-מטר הנוכחיים, ובאותה רמה של צריכת חשמל. מנקודת מבט אחרת, כדי להציע את רמת הביצועים של הדור הנוכחי ניתן לחסוך 75% בצריכת הכוח.

יבמ לא מסרה מתי היא תוכל להציע את הליתוגרפיה החדשה לייצור בפועל.